The operation principles of Low-Gain Avalanche Diodes (LGADs) will be introduced, and the diverse applications of LGAD sensors in future High Energy Physics experiments will be explored, highlighting the advantages of the moderate signal multiplication provided by LGAD technology.

At present, LGADs are considered a promising technology for developing 4D sensors capable of operating under extreme fluences, above 1¹⁷/cm², thanks to a new design of the implant responsible for signal multiplication, achieved through the compensation of p- and n-type dopants.

The present status and future developments of compensated LGAD sensors will be discussed.

本セミナーでは、低増幅率アバランシェダイオード（LGAD）の動作原理を紹介し、将来の高エネルギー物理実験におけるLGADセンサーの多様な応用について探ります。とくに、LGADの中程度の信号増幅の利点を強調します。

現在、LGADは極めて高いフルエンス（10¹⁷/cm²以上）下で動作可能な4次元センサーの開発に有望な技術と考えられています。これは、信号増幅を担うインプラントの新しい設計によって実現されており、p型およびn型ドーパントの補償によって達成されています。

本セミナーでは、ドーパント補償型LGADセンサーの現状と今後の開発動向について議論します。